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案例分类1

英诺赛科(苏州)半导体有限公司新建半导体生产厂房等项目,新建厂房面积149671.3平方米,新建辅房面积26412平米,位于苏州市吴江区。由汾湖高新区(黎里镇)结合国家级高新区创建而打造的新型半导体产业园,将以华功半导体“一院两中心”、英诺赛科为牵头项目,加快招引优质项目,打造集研发、生产、科技服务和孵化于一体的新型半导体产业化基地;由吴江高新区(盛泽镇)重点打造的纺织循环经济产业园,将以促进资源节约集约利用、改善生态环境为目标,加快推进印染企业集中入园,实现主要污染物排放量降低15%。
        

   英诺赛科是2015年12月由海归团队发起创办,从事宽禁带半导体电力电子器件的研发与生产,一期项目位于珠海市国家级高新区,已完成投资10.9亿元,建设8英寸增强型硅基氮化镓外延与芯片大规模量产生产线。公司商业模式将采用IDM全产业链模式,打造集研发、设计、外延生长、芯片制造、测试于一体的生产平台,主要产品包括100V-650V 8英寸硅基氮化镓外延片、100V-650V氮化镓功率器件、氮化镓集成电路。

   硅氮化镓技术能够提高功率密度和能效,同时缩小器件尺寸,因此,非常适合用于电视机电源和D类音频放大器等消费电子产品,服务器和电信设备中使用的SMPS。IHS发布的市场研究报告称,面向功率半导体的硅基板GaN技术市场,将以高达50%以上的年均复合增长率(CAGR)成长。到2023年,其市场容量将从2014年的1,500万美元,增至8亿美元。

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