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英诺赛科是2015年12月由海归团队发起创办,从事宽禁带半导体电力电子器件的研发与生产,一期项目位于珠海市国家级高新区,已完成投资10.9亿元,建设8英寸增强型硅基氮化镓外延与芯片大规模量产生产线。公司商业模式将采用IDM全产业链模式,打造集研发、设计、外延生长、芯片制造、测试于一体的生产平台,主要产品包括100V-650V 8英寸硅基氮化镓外延片、100V-650V氮化镓功率器件、氮化镓集成电路。
硅氮化镓技术能够提高功率密度和能效,同时缩小器件尺寸,因此,非常适合用于电视机电源和D类音频放大器等消费电子产品,服务器和电信设备中使用的SMPS。IHS发布的市场研究报告称,面向功率半导体的硅基板GaN技术市场,将以高达50%以上的年均复合增长率(CAGR)成长。到2023年,其市场容量将从2014年的1,500万美元,增至8亿美元。